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Versão Completa: Intel e Micron revolucionam tecnologia de memória com 3D XPoint
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Nova classe de memória melhora o desempenho de PCs e Data Centers, entre outros equipamentos


A Intel Corporation e a Micron Technology, Inc. revelaram a tecnologia 3D XPoint, uma memória não-volátil que apresenta o potencial para revolucionar qualquer dispositivo, aplicação ou serviço que beneficie de acesso rápido a grandes conjuntos de dados. Já em produção, a tecnologia 3D XPoint é um avanço significativo na tecnologia de memória e a primeira nova categoria desde a introdução de flash NAND em 1989.
 [Imagem: 3D-XPoint-Die.jpg]

O enorme crescimento no número de equipamentos conectados e de serviços digitais está a gerar enormes quantidades de informação. Para que esta informação seja útil, deve ser armazenada rapidamente, o que leva à criação de grandes desafios aos prestadores de serviços e aos assembladores que devem equilibrar o custo, as capacidades e o desempenho quando concebem soluções de memória e de armazenamento.
 
A tecnologia 3D XPoint combina o desempenho, a densidade, as capacidades, a não-volatilidade e as vantagens referentes ao custo de todas as tecnologias de memória disponíveis no mercado hoje. A tecnologia é até 1.000 vezes mais rápida e tem até 1.000 vezes maior resistência[1] que a NAND. Além disso, é 10 vezes mais densa que a memória convencional.

“Durante décadas, a indústria procurou formas de reduzir o tempo de lag entre o processador e os dados para permitir análises muito mais rápidas”, afirma Rob Crooke, Vice-Presidente Sénior e General Manager do Non-Volatile Memory Solutions Group da Intel. “Esta nova classe de memória não-volátil atinge este objectivo, garantindo um desempenho revolucionário para as soluções de memória e de armazenamento”.
 
“Um dos mais significativos obstáculos na computação moderna é o tempo necessário para que o processador alcance os dados em armazenamento de longo prazo”, refere Mark Adams, presidente da Micron. “Esta nova classe de memória não-volátil é uma tecnologia revolucionária que permite um acesso mais rápido às enormes quantidades de conjuntos de dados e permite a execução de novas aplicações”.
 
À medida que o mundo digital cresce a um elevado ritmo – de 4,4 zettabytes de informação digital criada em 2013 para uns esperados 44 zettabytes até 2020[2] – a tecnologia 3D XPoint poe transformar este mar imenso de informação em dados valiosos, com apenas nanosegundos. Por exemplo, os lojistas podem usar a tecnologia 3D XPoint para identificarem mais rapidamente os padrões de fraude em transações financeiras. Os profissionais da área de saúde podem processar e analisar grandes conjuntos de dados em tempo real, reduzindo o tempo necessário para cumprir tarefas como análises genéricas e monitorização de doenças.

[Imagem: 3D-XPoint-Wafer-Close-Up.jpg]
 
Os benefícios do desempenho da tecnologia 3D XPoint estão, também, presentes na melhoria da experiência de utilização de PC, dando aos consumidores a possibilidade de acederem às suas redes sociais de forma mais interativa graças a um trabalho colaborativo mais rápido, assim como o usufruto de experiências de gaming mais imersivas. A natureza não-volátil da tecnologia torna-a ainda numa excelente opção para aplicações de armazenamento de baixa latência, uma vez que os dados não são apagados quando o equipamento é desligado.
 
Uma nova arquitetura para tecnologia de memória realmente revolucionária
Depois de mais de uma década de investigação e desenvolvimento, a tecnologia 3D XPoint foi concebida de raiz para responder à necessidade de armazenamento e memória não-volátil, de alto desempenho, de alta resistência e de elevada capacidade, a um custo competitivo. Lidera, desta forma, numa nova classe de memória não-volátil que reduz significativamente as latências, permitindo que muito mais dados sejam armazenados junto ao processador e acedidos a velocidades anteriormente impossíveis para armazenamento não volátil.
 
Esta arquitetura de cross point inovadora e sem transístores cria um painel de três dimensões onde as células de memória são colocadas na intersecção entre as linhas, assegurando um acesso individual a cada uma das células. Como resultado, a informação pode ser escrita e lida em pequenos blocos, facultando processos de leitura e escrita mais eficientes.
 
Quer saber mais detalhes sobre a tecnologia 3D XPoint?
  • Estrutura de Array Cross Point – Condutores perpendiculares ligam as células de memória com uma densidade de 128 mil milhões. Cada célula de memória guarda um único bit de dados. Esta estrutura compacta tem como resultado uma elevada performance e uma alta densidade de bits.
  • Sobreposição – Além da sua estrutura de cross point justo, as células de memória são empilhadas em várias camadas. Esta tecnologia inicial armazena 128Gb por die em dois layers de memória. As gerações futuras desta tecnologia podem aumentar o número de layers de memória. Além disso, é possível redimensionar a litografia tradicional, melhorando ainda mais as capacidades dos sistemas.
  • Seletor – As células de memória são consultadas e escritas ou lidas fazendo variar a quantidade de voltagem enviada para cada seletor. Este fato elimina a necessidade de transístores, aumentando a capacidade e reduzindo o custo.
  • Célula com mutação rápida – Com uma dimensão mais reduzida por célula, um seletor mais rápido, um array de cross point de baixa latência e um algoritmo de escrita rápida, a célula pode alterar o seu estado mais rapidamente que em qualquer tecnologia de memória não-volátil disponível hoje no mercado.
 
A tecnologia 3D XPoint será demonstrada ainda em 2015 através de clientes selecionados, e a Intel e a Micron estão a desenvolver produtos individuais baseados nesta tecnologia.
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